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恩智浦半導體擴展其豐富的GaN和硅橫向擴散金屬氧化物半導體（Si－LDMOS）蜂窩基礎設施產(chǎn)品組合，推動創(chuàng)新，以緊湊的封裝提供行業(yè)領先的性能，助力下一代5G蜂窩網(wǎng)絡發(fā)展。
5G連接涉及頻譜擴展、更高階位調(diào)制、載波聚合、全維波束賦形等關鍵技術，因此需要擴大技術基礎才能支持增強移動寬帶連接。根據(jù)頻譜使用情況和網(wǎng)絡占位空間，實施“多輸入多輸出”（MIMO）技術需采用四根（4TX）發(fā)射天線到64根甚至更多天線。5G網(wǎng)絡的未來將取決于GaN和Si－LDMOS技術，而恩智浦一直身處射頻功率放大器開發(fā)的前沿。
“恩智浦于1992年推出全球首款LDMOS產(chǎn)品，此后25年一直處于領導地位。現(xiàn)在，恩智浦依托成功的歷史經(jīng)驗，以行業(yè)領先的GaN技術鞏固了自己的射頻領導地位，為蜂窩移動應用提供出色的線性效率，”恩智浦資深副總裁兼射頻功率事業(yè)部總經(jīng)理Paul Hart表示，“憑借出色的供應鏈、全球應用支持和行業(yè)內(nèi)出色的設計專業(yè)知識，恩智浦已成為5G解決方案領先的射頻合作伙伴�！�
在IMS 2018展會上，恩智浦推出全新射頻GaN寬帶功率晶體管，擴展其適用于宏蜂窩和戶外小型基站解決方案的Airfast第三代Si－LDMOS產(chǎn)品組合。新產(chǎn)品包括：
A3G22H400－04S：這款GaN產(chǎn)品非常適合40 W基站，效率高達56．5％，增益為15．4 dB覆蓋從1800 MHz到2200 Mhz的蜂窩頻段。
A3G35H100－04S：這款GaN產(chǎn)品提供43．8％的效率和14 dB的增益，可在3．5 GHz下實現(xiàn)16 TX MIMO解決方案。
A3T18H400W23S：這款Si－LDMOS產(chǎn)品以1．8 GHz的頻率領跑5G時代，Doherty效率高達53．4％，增益為17．1 dB。
A3T21H456W23S：這款解決方案覆蓋從2．11 GHz到2．2 GHz的全部90 MHz頻帶，體現(xiàn)了恩智浦Si－LDMOS產(chǎn)品出色的效率、射頻功率和信號帶寬性能。
A3I20D040WN：在恩智浦集成式超寬帶LDMOS產(chǎn)品系列中，這款解決方案提供46．5 dBm的峰值功率、365 MHz的帶寬以及32 dB的AB級性能增益，在10 dB OBO時的效率達18％。
A2I09VD030N：這款產(chǎn)品具有46 dBm的峰值功率，AB級性能增益為34．5 dB，在10 dB OBO時的效率為20％。這款產(chǎn)品的射頻帶寬為575 MHz至960 MHz。
恩智浦提供豐富多樣的射頻功率技術產(chǎn)品，涵蓋GaN、硅－LDMOS、SiGe和GaAs，支持覆蓋頻率和功率頻譜和多種集成度的5G產(chǎn)品。恩智浦不僅提供廣泛的選擇、構建數(shù)字計算產(chǎn)品，還支持基帶處理應用，是端到端5G解決方案獨特的供應商。
