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【手機評測】中興自去年推出四核旗艦手機 Grand Era 之后，今年接連推出了 Grand Memo 以及 Grand S 兩款定位中高端市場的手機，之前我們曾評測過5.7寸巨屏的Grand Memo ，該機相比中興過去的產(chǎn)品有明顯的提升。那么作為中興耗費最多精力打造的旗艦產(chǎn)品，Grand S又有怎樣的表現(xiàn)呢？下面我們一同來看。
中興 V988(Grand S聯(lián)通版) 圖片 系列 評測 論壇 報價 網(wǎng)購實價
中興Grand S 的硬件配置屬于高端旗艦配置，比如配備驍龍四核處理器、1 300萬像素 攝像頭等等。
中興Grand S（V988）參數(shù) | |
| CPU | 1.5GHz 驍龍APQ8064四核處理器 |
RAM | 2GB |
ROM | 16GB（支持Micro SD卡擴展） |
屏幕 | 5寸 1920x1080像素分辨率 IPS、全貼合技術 康寧防刮玻璃 |
| 攝像頭 | 1300萬像素攝像頭+LED補光燈 |
| 前置攝像頭 | 200萬像素 |
| 操作系統(tǒng) | Android 4.1 |
| 電池容量 | 1780mAh |
機身尺寸 | 142x70x6.9mm |
| 重量 | 110g |
| 其他 | MHL、OTG、杜比音效認證 |
| 參考價格 | 3399元（大陸行貨） |
●輕薄的機身設計
中興Grand S曾在2013年初榮獲年度iF設計大獎，外形設計方面可圈可點，細節(jié)做工可屬目前安卓手機的高級水平。
什么是“iF設計獎”？
iF DesignAward，簡稱“iF”，創(chuàng)立于1954年，該獎是由德國歷史最悠久的工業(yè)設計機構--漢諾威工業(yè)設計論壇(iF Industrie Forum Design)每年定期舉辦的。德國IF國際設計論壇每年評選IF設計獎，IF設計獎是國際上最著名的獎項之一，歐洲媒體亦稱之為“設計的奧斯卡”，每年在漢諾威舉辦cebit展覽的同時舉行頒獎典禮。對于手機來說，經(jīng)典的 蘋果iPhone 4 曾在2011年獲得iF金獎。
屏幕面板和后蓋的契合方式以及后蓋的表面處理方式，和 HTC One X 有相似之處，但屏幕突出的區(qū)域要更多一些。這種設計明顯提升了整機的美感，同時兼顧良好的握持感。
中興Grand S依舊采用傳統(tǒng)的實體觸控按鍵，更符合普通使用者的習慣，并更有效的利用屏幕顯示區(qū)域。
后蓋凸起部分為一款內(nèi)部有條狀花紋的有機玻璃。經(jīng)測試，當手機背面向下放置在水平桌面時，接觸面在揚聲器下部，對外放音量不會造成過多衰減，同時比較重要的攝像頭部分會避開磨損。
卡槽在機身左右兩側下部，無需卡針，也沒有卡托。SIM卡插槽旁邊有5個金屬觸點，應該是以備未來連接擴展設備所設。
至于電源鍵在頂部方便還是側面方便，這要看個人習慣。音量鍵和電源鍵雖手感均不差，但電源鍵相對會稍稍偏軟一些，和音量鍵有稍許差異，不知是否是個體原因。
官方給出的Grand S的機身厚度為6.9mm，這應該是機身最薄處的厚度，我們用游標卡尺測出的機身的平均厚度約為7.6mm，這個厚度在1080p四核手機中已經(jīng)屬于“超薄”了。而Grand S的機身重量也只有110克左右，使得手機非常輕巧。
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