光纖光纜技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最新進(jìn)展

　　0 前言

　　經(jīng)過多年的發(fā)展，光纖光纜領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)逐步形成了一套相對(duì)穩(wěn)定的標(biāo)準(zhǔn)體系。其中ITU-T的G.65x系列建議書，IEC的60793和63794系列標(biāo)準(zhǔn)，GB/T 9771、GB/T 15972、GB/T 12357等系列國家標(biāo)準(zhǔn)，以及以行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)為主的一系列光纜標(biāo)準(zhǔn)等，為光纖光纜產(chǎn)品的生產(chǎn)、工程建設(shè)和進(jìn)出口檢驗(yàn)提供了先進(jìn)、統(tǒng)一的技術(shù)規(guī)范，提高了整個(gè)行業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化程度。

　　隨著近年來光纖光纜技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，部分標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)細(xì)節(jié)也在隨之更新和修訂，以更加適應(yīng)市場(chǎng)的需要。本文主要介紹了2009年以來在光纖光纜領(lǐng)域技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的最新進(jìn)展情況，并針對(duì)最新的修訂內(nèi)容進(jìn)行了詳細(xì)解釋。

　　1 光纖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展

　　1.1 ITU-T光纖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展

　　1.1.1 ITU-T G.650.1

　　ITU-T G.650.1于2010年進(jìn)行了修訂，其中主要的更新為以下幾點(diǎn)。

　　a)ITU-T G.650.1-2009第5.3節(jié)，刪除了跳線截止波長的測(cè)試方法。由于實(shí)際意義較小，單模光纖規(guī)范中均刪除了跳線截止波長的定義和指標(biāo)要求。

　　b)ITU-T G.650.1-2009第5.3.1.3節(jié)，截止波長的測(cè)試步驟，對(duì)打圈參考法和多模參考法的使用進(jìn)一步給予了詳細(xì)解釋。對(duì)于打圈參考法，所打圈的半徑應(yīng)該在測(cè)試之前予以確定。圈的半徑應(yīng)足夠小，以濾除次高階模式，卻不應(yīng)太小，以至于引起長波長處的宏彎損耗。對(duì)于G.652~G.656光纖來說，典型的打圈半徑為10~30 mm，但對(duì)于某些G.657光纖，圈的半徑可能要求更小。對(duì)于一些G.657光纖，由于其優(yōu)異的抗彎曲特性，使用打圈參考法測(cè)試截止波長可能并不適合，這種情況下，推薦使用多模參考法進(jìn)行測(cè)試。

　　c)ITU-T G.650.1-2009第5.6節(jié)，增加了宏彎損耗的測(cè)試方法。

　　1.1.2 ITU-T G.650.3

　　ITU-T G.650.3于2011年以增補(bǔ)文件的形式新增了資料性附錄三：“在已安裝的鏈路上區(qū)分宏彎點(diǎn)和熔接點(diǎn)的方法”，其主要原理是依據(jù)測(cè)試2個(gè)波長處的雙向OTDR曲線，對(duì)于某一個(gè)損耗事件點(diǎn)，根據(jù)2個(gè)波長處實(shí)測(cè)損耗值，計(jì)算宏彎因子，再通過宏彎因子判斷該處是否為異常宏彎點(diǎn)。由于G.657光纖的彎曲損耗一般很小，建議書中注明了此方法一般只適用于G.652光纖。同時(shí)，在不清楚鏈路中使用的光纖類型時(shí)，此方法也不適用。

　　1.1.3 ITU-T G.652~G.656

　　G.652~G.656系列標(biāo)準(zhǔn)均在2009—2010年進(jìn)行了更新，但實(shí)際的技術(shù)指標(biāo)并沒有大的變化。

　　所有單模光纖系列的標(biāo)準(zhǔn)中，均刪除了跳線截止波長的相關(guān)內(nèi)容。

　　1.1.4 ITU-T G.657

　　2009版的ITU-T G.657較上一版本變化較大，主要表現(xiàn)在對(duì)光纖分類上，由最早的G.657 A和G.657 B改為了G.657 A1、A2、B2、B3 4個(gè)子類。

　　2010年6月，ITU還發(fā)布了G.657建議書的增補(bǔ)文件，對(duì)資料性附錄一：“小彎曲半徑條件下光纖的壽命預(yù)測(cè)”進(jìn)行了修訂。

　　另外，在2011年2月最近一次的ITU-T會(huì)議上，對(duì)G.657建議書的進(jìn)一步發(fā)展進(jìn)行了廣泛的討論。其中形成一致意見的是：在下一版本的ITU-T G.657建議書中，將B2和B3類光纖的MFD范圍變?yōu)榕cA1和A2一致，即刪除下限為6.3 μm的小模場(chǎng)光纖類型。其主要原因在于小模場(chǎng)的G.657光纖在實(shí)際應(yīng)用中與G.652光纖的接續(xù)損耗較大，且現(xiàn)在市場(chǎng)上各廠商的主流產(chǎn)品均為模場(chǎng)直徑與G.652光纖接近，而非小模場(chǎng)的光纖。此意見將在下一版本的修訂中繼續(xù)進(jìn)行討論，現(xiàn)階段官方發(fā)布的正式建議書中仍維持了原分類原則。

　　1.2 IEC光纖技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展

　　1.2.1 IEC 60793-2-10  A1類多模光纖技術(shù)規(guī)范

　　IEC 60793-2-10為A1類多模光纖的技術(shù)規(guī)范，最新有效版本為2011版。其中主要的修訂為以下幾點(diǎn)。

　　a)A1a類光纖中，除A1a.1和A1a.2外，新增加子類A1a.3(對(duì)應(yīng)ISO/IEC 11801所規(guī)范的OM4)。IEC 60793-2-10中多模光纖的最新分類方法與ISO/IEC 11801的對(duì)應(yīng)關(guān)系如表1所示。

 圖1　IEC 60793-2-10與ISO/IEC 11801多模光纖分類的對(duì)應(yīng)關(guān)系

　　b)通過新增資料性附錄，進(jìn)一步對(duì)帶寬測(cè)試的注入要求和有效模式帶寬進(jìn)行了解釋。

　　1.2.2 IEC 60793-2-50單模光纖系列技術(shù)規(guī)范

　　IEC 60793-2-50包括ITU-T所規(guī)范的G.652~G.657所有系列的單模光纖，最新有效版本為2008版。

在近2年的IEC會(huì)議中，正在對(duì)IEC 60793-2-50進(jìn)行新的修訂，其中主要的修訂為以下幾點(diǎn)。

　　a)在單模光纖的尺寸規(guī)范參數(shù)表中，常規(guī)的光纖外涂覆層直徑規(guī)范為(245±10)μm，除此之外，也可選擇其他的外涂覆層直徑，如(400±40)、(500±30)、(700±100)、(900±100)μm。最新的修訂在可選擇的外涂覆層直徑中增加了(200±10)μm，即現(xiàn)在市場(chǎng)上出現(xiàn)的可用于小型化光纜的小尺寸光纖。需要說明的是，對(duì)于以上不同的涂覆層直徑，其包層玻璃部分的尺寸典型值仍為125μm。